Как выбрать оперативную память DDR4. Какие тайминги лучше для ddr4.

Многие считают, что это самый важный параметр. И это, конечно, так! Он также является самым простым. Да, здесь хорошо работает принцип «больше — значит лучше». Но в разумных пределах.

Гайд по выбору оперативной памяти DDR4 в 2022 году

DDR4 появилась на рынке домашних компьютеров 7 лет назад и с тех пор пережила несколько крупных модернизаций — все три основных производителя модулей памяти, Samsung, Hynix и Micron, усовершенствовали свои модули памяти до конца. Сегодняшний рынок наводнен модулями памяти DDR4 всех цветов и характеристик, что делает правильный выбор довольно сложным. В этой статье мы поможем вам понять основные различия между различными модулями DDR4, на что следует обратить внимание при покупке и какой производительности вы можете ожидать.

Термин «ранг» означает количество групп микросхем памяти на плате. Одиночный ранг имеет одну группу фишек, а двойной ранг — две группы. Хотя контроллер памяти процессора может одновременно взаимодействовать только с одной группой микросхем, преимуществом Dual Rank является возможность модернизации банков памяти на неиспользуемой микросхеме. Для «игровой» и стандартной настольной памяти классификация проста: одноранговые модули содержат чипы только на одной стороне платы, а двухранговые — на обеих. Почти все модули памяти объемом 8 ГБ будут одноранговыми, а 16 и 32 ГБ — двухранговыми.

Основным преимуществом двухранговой памяти является более высокая емкость на плату. Поскольку современные процессоры имеют только два канала памяти, а большинство материнских плат рассчитаны на одновременное использование двух карт памяти, 2 карты памяти Dual Rank работают стабильнее и быстрее, чем 4 карты памяти Single Rank.

При одинаковой частоте и таймингах Dual Rank на 5-7% быстрее в играх, но Single Rank больше перегружает память и дает преимущество в производительности. Проще говоря, память примерно одинакового качества и тактовой частоты будет иметь более высокую производительность в системе Dual Rank, но худшие тайминги и задержки, чем память Single Rank.

Плюсы Dual Rank памяти (комплекты 32Гб из 2 планок):

• Больший объем памяти
• Получите большую пропускную способность
• На 5-7% более высокая игровая производительность при тех же технических характеристиках
• Больше возможностей для будущего роста

• Широкий выбор моделей с различными техническими характеристиками
• Более низкая цена
• Более низкая задержка памяти
• Возможности разгона выше

Минусы Single Rank памяти:

• В ближайшем будущем 16 ГБ может оказаться недостаточно для домашней системы
• Увеличение объема памяти с 4 до 32 ГБ означает повышение производительности
• Более низкая игровая производительность при тех же настройках

В 2022 году я рекомендую вам рассмотреть возможность приобретения двухранговой памяти только с комплектом из двух карт на 32 ГБ по следующим причинам:

• Windows, браузеры, Discord, Torrents и другие внутренние программы потребляют все больше и больше памяти. Хотя сегодня 16 Гб все еще достаточно для комфортной жизни, тенденция показывает, что через 1-2 года 16 Гб будет уже недостаточно.
• Использование четырех модулей памяти существенно ограничивает разгонный потенциал из-за конструктивных особенностей материнских плат. Велика вероятность того, что добавление нескольких модулей памяти серьезно повлияет на производительность.
• На рынке представлено множество комплектов памяти с двумя рангами, которые предлагают оптимальную производительность по разумной цене.
• Современные процессоры лучше всего работают с памятью с частотой 3600-4200 MT/s, поэтому нет смысла искать высокочастотную и высокоскоростную память.

Эти невинные полоски памяти гораздо сложнее, чем кажется. Сегодня попробуем упростить один аспект — латентность памяти.

Чем оперативная память DDR4 отличается от DDR3

DDR4 — это четвертое поколение памяти, которое разрабатывается Комитетом по стандартам полупроводников JEDEC с 2005 года. Впервые стандарт был представлен в Японии в 2010 году, и уже тогда было ясно, что память DDR4 обладает впечатляющими характеристиками и возможностями по сравнению с DDR3. Вы можете увидеть это в таблице:

Другими словами, DDR4 работает при более низком напряжении, обеспечивая при этом гораздо более высокие рабочие частоты и пропускную способность.

Важно понимать, что две платы оперативной памяти DDR3 и DDR4, работающие на одинаковых частотах, имеют практически одинаковую производительность. Разница составляет 2-3%, что можно считать статистической погрешностью. Поэтому покупать память DDR4 имеет смысл только в том случае, если вам требуется частота 2 400 МГц или выше.

Следует отметить, что официальная тактовая частота памяти не соответствует максимальной тактовой частоте. Сегодня существуют карты DDR4 с частотой 4600 МГц и выше, а это значит, что производители уже приблизились к цифрам, с которыми будет работать новое поколение памяти DDR5. Максимальная скорость передачи данных в этих корпусах может достигать 36 800 МБ/с, в зависимости от корпуса. Однако это заводская разогнанная память с повышенным напряжением, и покупать такую память имеет смысл только в двух случаях:

1. Если вы работаете над рендерингом или другими профессиональными задачами, для которых важна высокая скорость передачи данных.
2. Если вы геймер и собираете мощный компьютер по современным стандартам.

Давайте теперь разберемся более подробно, что означают все эти параметры и что они делают.

Вы можете задаться вопросом

Объем памяти – на что влияет и как определиться

Люди, задающиеся вопросом, как выбрать оперативную память DDR4, часто не могут понять, какой объем им нужен для решения поставленных задач. Дело в том, что у вас никогда не может быть слишком много оперативной памяти. Он служит временным хранилищем для данных и инструкций, которые процессор использует для выполнения определенных функций и задач. Данные загружаются в рабочую память либо напрямую, либо через сверхбыструю память.

ТОП-3 DDR4: рейтинг 2021

Давайте рассмотрим три лучших комплекта оперативной памяти DDR4, которые вы можете смело покупать в 2021 году. Каждый из представленных наборов наилучшим образом подходит для выполнения своих задач:

1. Оперативная память HyperX DDR4-3000 16384MB PC4-24000 (Kit of 2×8192) Predator — для повседневных задач, учебы и работы с базовыми программами.
2. HyperX DDR4-3466 16384MB PC4-27700 (Kit of 2×8192) Fury — незаменимый продукт для геймеров.
3. Оперативная память Crucial DDR4-3600 32768MB PC4-28800 Ballistix подходит для профессиональных задач.

Давайте рассмотрим особенности и преимущества каждого комплекта.

HyperX DDR4-3000 16384MB PC4-24000

Этот «набор» содержит две карты памяти объемом 8 Гб со следующими характеристиками:

• Частота — 3000 МГц,
• 3000 МГц, 3000 МГц, 3000 МГц, 3000 МГц, 3000 МГц,
• Эффективная пропускная способность — 24 000 МБ/с,
• Напряжение — 1,35 В.

Каждая плата окружена алюминиевым радиатором, который рассеивает избыточное тепло и устраняет риск перегрева даже при экстремальном разгоне. В общей сложности вы получаете 16 ГБ памяти с низкими опорными таймингами CL15, что делает этот комплект идеальным для всех ваших повседневных задач и оставляет достаточно места для будущего.

Если стоимость этого комплекта вас не привлекает, мы рекомендуем базовую оперативную память HyperX 8GB с теми же характеристиками. Для повседневных задач этой мощности хватит на 1-2 года, а в будущем вы сможете приобрести блок с аналогичными характеристиками, чтобы «освежить» свой компьютер.

Вы можете задаться вопросом

HyperX DDR4-3466 16384MB PC4-27700 (Kit of 2×8192) Fury

И этот набор — отличный выбор для тех, кто любит современные видеоигры. Для тех, кто не терпит компромиссов и хочет максимально эффективно использовать свой бюджет. В комплект входят две карты памяти объемом 8192 МБ со следующими характеристиками:

• Частота — 3466 МГц,
• 3466MHz, 3466MHz, 3466MHz, 3466MHz, 3466MHz, 3466MHz, 3466MHz, 3466MHz, 3466MHz, 3466MHz,
• Напряжение — 1,35 В.
• Напряжение — 1,35 В.

Это лучшая оперативная память DDR4, доступная для покупки в 2021 году. В этом наборе 16 ГБ оперативной памяти, чего пока достаточно, но лучше купить сразу два набора и установить их в четырехканальном режиме. Таким образом, теоретически вы получаете вдвое больший прирост производительности по сравнению со стандартным двухканальным режимом работы ОЗУ.

Это может вас заинтересовать

Вы можете задаться вопросом

Crucial DDR4-3600 32768MB PC4-28800 Ballistix

Именно поэтому две оперативные памяти с одинаковой частотой, но разной задержкой работают по-разному, причем память с наименьшей задержкой является самой быстрой.

Как упоминалось ранее, задержка CAS (CL) является очень важным параметром памяти. Он показывает, сколько тактов требуется памяти для вывода запрошенных данных. Память с CL = 3 задерживает ответ на 3 такта, а память с CL = 5 делает то же самое только через 5 тактов. Таким образом, из двух блоков памяти, работающих на одной тактовой частоте, быстрее тот, у которого меньше значение CL.

CAS Latency (CL)

Обратите внимание, что под тактовой частотой здесь подразумевается фактическая тактовая частота, на которой работает модуль памяти — т.е. половина указанной частоты. Поскольку память DDR и DDR2 может выводить данные дважды за тактовый цикл, они имеют двойное тактирование.

На рисунке 4 показан пример работы CL, конкретно два примера: для модуля памяти с CL = 3 и для модуля памяти с CL = 5. Инструкция «read» показана синим цветом.

Задержка CAS (CL)

Память с CL = 3 имеет преимущество в задержке на 40% по сравнению с памятью с CL = 5, при условии, что обе работают на одинаковой тактовой частоте.

Можно даже рассчитать время задержки, после которого память начинает выдавать данные. Период каждого тактового цикла можно легко рассчитать по следующей формуле:

Это означает, что память DDR2-533, работающая на частоте 533 МГц (частота шины 266,66 МГц), имеет время одного тактового цикла 3,75 нс (нс = наносекунда, 1 нс = 0,000000001 с). Обратите внимание, что в расчетах необходимо использовать фактическую тактовую частоту, которая составляет половину номинальной частоты. Таким образом, память DDR2-533 имеет задержку данных 18,75 нс при CL = 5 и 11,25 нс при CL = 3.

Память SDRAM, DDR и DDR2 поддерживает пакетный доступ к данным, при котором данные задерживаются на один тактовый цикл перед обращением к следующей порции данных, если данные находятся по адресу, смежному с текущим адресом. Таким образом, пока первые данные задерживаются на CL тактов, следующие данные выводятся сразу после первых данных без задержки на еще один CL тактов.

Каждая микросхема памяти внутренне организована как двумерный массив. Каждое пересечение строк и столбцов имеет небольшой конденсатор, отвечающий за хранение «0» или «1» — единиц информации или данных. Процедура доступа к хранимым данным выглядит следующим образом: Сначала активируется строка с нужными данными, а затем столбец. Эта активация вызывается двумя управляющими сигналами, RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe). Чем короче интервал между этими двумя сигналами, тем лучше, так как в этом случае данные считываются быстрее. Это время называется задержкой RAS-to-CAS (tRCD) и показано на рисунке 5 — в данном случае для памяти с tRCD = 3.

Задержка от RAS до CAS (RAS to CAS Delay tRCD)

Задержка RAS-CAS (tRCD)

Как видите, задержка RAS-CAS — это также количество тактовых циклов с момента поступления команды «Active» до команды «Read» или «Write».

Как и задержка CAS, задержка RAS-CAS также относится к фактической тактовой частоте (которая составляет половину частоты метки), и чем меньше этот параметр, тем быстрее работает память, так как в этом случае чтение или запись данных начинается быстрее.

После получения данных из памяти в память должна быть послана команда предварительной загрузки, чтобы закрыть линию памяти, из которой были считаны данные, и позволить активировать другую линию. Время предварительного заряда RAS (tRP) — это время между командой предварительного заряда и временем, когда память может принять следующую команду активации, Active. Как мы узнали в предыдущем разделе, команда Active запускает цикл чтения или записи.

RAS Precharge (tRP)

Преднагрузка на РАН (tRP)

На рисунке 6 показан пример памяти с tRCD = 3.

Как и другие параметры, RAS Precharge связан с фактической тактовой частотой (которая равна половине частоты маркера), и чем меньше этот параметр, тем быстрее будет работать память, так как команда «активно» будет поступать быстрее.

Суммируя вышесказанное, мы видим, что время между выдачей команды предварительной зарядки (закрыть линию и …) и фактическим приемом данных процессором равно tRP + tRCD + CL.

Проще всего распознать DJR по высокой начальной частоте и уже упомянутым временным характеристикам. Thermaltake Toughram использует эти блоки исключительно на частотах выше 4000 MT/s, в то время как множество вариантов предлагают Kingston и G.Skill.

Рассмотрим следующие три комплекта:

ОЗУ с низкой задержкой или высокоскоростная ОЗУ

32GB (2×16) DDR4-3200 CL16

• 32GB (2×16) DDR4-3600 CL18
• 32GB (2×16) DDR4-4000 CL20 32GB (2×16) DDR4-4000 CL20
• Как вы думаете, какой из них самый «быстрый»?

Ну, здесь все становится немного сложнее (или интереснее).

Мы проверили это на себе. И оказывается, что сама задача настолько сильно ограничена IPC и тактовой частотой одного ядра процессора, что не имеет значения, какую задержку вы выберете, до тех пор, пока скорость передачи данных или тайминг памяти не будут активно влиять на производительность процессора.

Для 3D и активных рабочих нагрузок

Процессор Ryzen 9 5950X

Однако это открывает интересную дискуссию.

Стоит ли выбирать более дешевый комплект DDR4-2666 CL20 (или комплект DDR4-2666 CL16) вместо чуть более дорогого комплекта DDR4-3600 CL20, если вам нужна аналогичная производительность?

Я бы сказал, что нет. Более быстрый комплект памяти позволяет повысить производительность при выполнении любых задач, которые активно перегружают процессор, распределяясь между несколькими ядрами.

Примером может служить быстрая прокрутка временной шкалы Premiere Pro со сжатым исходным материалом.

Короткий ответ заключается в том, что особой разницы нет. Если это ваши основные рабочие нагрузки, мы рекомендуем отдать предпочтение стабильности системы, а не погоне за вторичной полезностью.

Для рабочих нагрузок рендеринга CPU/GPU

Да. Смешанное хранение, как правило, не является идеальным. Это верно, даже если вы используете разные тайминги хранения.

Часто задаваемые вопросы о латентности памяти

Смешивание оперативной памяти с разной задержкой плохая идея?

Что касается ожидаемого поведения, то здесь возможны два варианта:

Если вам повезет, модули памяти могут быть настроены на работу с более медленными таймингами памяти.

• Если вам не повезло, стабильность не будет достигнута, пока вы не сбросите разгон памяти до спецификации JEDEC, которая обычно намного медленнее.
• Вы можете узнать текущую задержку памяти в кратчайшие сроки! Во-первых, загрузите CPU-Z с официального сайта CPUID.

Как проверить задержку CAS моей оперативной памяти?

После установки и запуска CPU-Z вы должны увидеть экран, похожий на этот (конечно, аппаратное обеспечение и спецификации являются вашими собственными).

Перейдите на вкладку «Память» и вы должны увидеть список частот вашей памяти (не скорость передачи данных) и тайминги памяти, такие как задержка CAS.

SPD (Serial Presence Detect) — это стандартная EEPROM (электрически стираемая программируемая постоянная память), которая позволяет вашей системе получить доступ к спецификациям памяти.

Что такое SPD в CPU-Z

Поэтому, когда ваша система выполняет «POST» (самотестирование при включении питания), она обращается к спецификациям памяти, используя информацию, хранящуюся здесь. На этом этапе он сразу же узнает, какие спецификации JEDEC были установлены для вашей памяти, а также некоторые другие вещи.

Кроме того, он также покажет все профили XMP, которые были загружены в память, как показано на скриншоте выше. Затем BIOS может предложить вам метод «одного клика» для установки спецификаций этого профиля XMP путем его чтения.

Обратите внимание, что это не ваши текущие настройки памяти. На этой вкладке отображается только то, что считывается из модулей памяти.

BIOS DRAM Command Rate Timing позволяет пользователю установить вышеуказанный интервал задержки, выбрав между 1T или 2T (тактовые циклы).

Тактирование памяти можно проверить на странице памяти в любом солидном магазине или на сайте производителя. Если вы хотите посмотреть характеристики уже установленной памяти, можно использовать CPU-Z или аналогичные утилиты.

Как узнать тайминги ОЗУ

Это лучшая оперативная память DDR4, доступная для покупки в 2021 году. Этот комплект состоит из 16 Гб оперативной памяти, чего пока достаточно, но лучше купить сразу два комплекта и установить их в четырехканальном режиме. Таким образом, теоретически вы получаете двукратный прирост производительности по сравнению со стандартным двухканальным режимом работы ОЗУ.

Это может вас заинтересовать

Лучше два модуля по 8 ГБ, чем четыре по 4 ГБ

Никто не запрещает, но есть нюанс. Прежде всего, в настоящее время широко доступны карты памяти объемом 4, 8 и 16 ГБ. Это означает, что установка 3 ГБ + 6 ГБ точно не сработает. Во-вторых, компьютерам требуется четное количество установленных карт памяти, то есть две или четыре штуки. В-третьих, если вы забьете все четыре слота на материнской плате, это увеличит нагрузку на контроллер памяти и, следовательно, может негативно сказаться на стабильности и производительности системы, а также на возможном разгоне.

Получается, что лучше использовать два слота (три очень нежелательно, один можно использовать, но с оглядкой на «лишнее»). Возможны и четыре, но вы должны быть уверены в качестве всех компонентов системы и в том, что не перегрузите ее.

Что лучше: один блок на 8 ГБ или два блока по 4 ГБ? Если это новая система, то разумнее купить один блок на 8 ГБ и накопить на другой. Что если выбор стоит между устройством на 16 ГБ и двумя устройствами по 8 ГБ? В данном случае второй вариант предпочтительнее по следующим причинам.

Современные компьютеры поддерживают двухканальную память, которая позволяет быстрее передавать данные между памятью и компонентами компьютера. Это фактически бесплатное повышение производительности компьютера. Пропускная способность существенно не увеличится, но почему бы не воспользоваться таким приятным бонусом?

Здесь тоже есть нюанс — для двухканальной работы нужны два модуля памяти одного производителя с идентичными характеристиками. Многие производители предлагают наборы такой памяти, которые идентичны и гарантированно работают в этом режиме. Бывает, что такие комплекты стоят дороже, чем аналогичные устройства, но вне комплекта. Не обязательно прибегать к «сборным» предложениям, достаточно приобрести идентичные блоки одной серии (проверьте маркировку).

Чтобы двухканальная функция работала, память должна быть установлена в «правильные» слоты на материнской плате. Они обычно маркируются одним цветом и устанавливаются друг за другом. Например: синие слоты 1 и 3 и черные слоты 2 и 4.

Другими словами, DDR4 работает при более низком напряжении, обеспечивая при этом гораздо более высокие рабочие частоты и пропускную способность.

Другими словами, DDR4 работает при более низком напряжении, обеспечивая при этом гораздо более высокие рабочие частоты и пропускную способность.

Стоит ли включать опцию?

Третий вариант, Auto (или By SPD), также существует в некоторых моделях и версиях BIOS. Если вы присвоили режиму это значение, интервал берется из информации, запрограммированной производителем на микросхеме SPD (Serial Presence Detect).

Рекомендуется ознакомиться с техническим описанием материнской платы, прежде чем экспериментировать с быстрым интервалом 1T. Если вы не уверены в своих действиях, мы рекомендуем оставить настройку на Авто. Порекомендуйте эту статью своим друзьям:

Надеюсь, теперь понятно, что лучше для Ryzen — однорядная или двухрядная память ddr4. Если вы хотите получить максимальный прирост производительности от частоты памяти, вам следует обратить внимание на одноранговые модули с более высокой частотой, гарантированной производителем (по сравнению с дешевыми двухранговыми модулями). В то же время будьте готовы вручную установить тайминги памяти на максимальные частоты. Также помните, что комплект из двух блоков предпочтительнее комплекта из четырех блоков для достижения максимальной производительности.

Выводы

Когда выбор стоит между одноранговыми и четырехранговыми устройствами с одинаковой скоростью (а в настоящее время существуют двухранговые устройства, работающие на высоких частотах), решение не столь однозначно. Для некоторых операций двойные контактные блоки (всего 2) могут обеспечить преимущество в производительности на 2-4% по сравнению с одиночными контактными блоками.

Я бы также отметил, что существуют модули с большим количеством линий памяти на блок, но, согласно результатам тестирования, более 2 линий на блок не приводит к увеличению производительности.

Если вы обнаружили ошибку, выделите текст и нажмите Ctrl+Enter.

Соответствующие фотографии отсутствуют.

(1 оценка, в среднем: 5,00 из 5)

У меня высшее образование в области компьютерных наук. Незначительное знание свободного программного обеспечения. Занимаюсь ремонтом бытовой техники в свободное время. Я являюсь счастливым обладателем 3D-принтера. Я думаю, что автоматизация очень важна в наши дни.

Об авторе

Уровень памяти — это количество массивов 64-битных микросхем памяти, распаянных на модуле памяти. Проще говоря, это два виртуальных блока в одном физическом блоке. Наиболее распространены одноранговые и двухранговые микросхемы памяти, но также очень часто встречаются четырехранговые микросхемы памяти. Это заставляет вспомнить аналогию физических и виртуальных процессорных ядер — Intel Hyper-Threading и AMD SMT. Определенное сходство действительно есть: двухканальный чип памяти быстрее одноканального, но медленнее двух двухканальных.

Одноранговая или двухранговая оперативная память?

Single Rank vs Dual Rank

В настоящее время большинство модулей памяти DDR4 объемом 4 и 8 ГБ являются моноблочными (с четырьмя или восемью чипами объемом 1 ГБ, спаянными вместе), а модули памяти объемом 16 ГБ — диагональными (с шестнадцатью чипами, т.е. двумя массивами). Однако в продаже еще можно найти старые 8-гигабайтные двухрядные карты (16 низкоплотных чипов по 512 МБ).

А с появлением первых чипов высокой плотности емкостью 2 ГБ стали доступны одноранговые устройства емкостью 16 ГБ (массив из 8 чипов) и двухчиповые устройства емкостью 32 ГБ (16 чипов). Четырехъядерные слоты на 32 гигабайта (32 чипа, четыре массива) — это диковинка.

Читайте также: Улучшится ли охлаждение, если снять боковые крышки системного модуля, что лучше: открытые или закрытые?

Проще говоря, если на карте памяти не более восьми чипов, то это одноранговая технология, а если шестнадцать чипов, то двухранговая. Теперь давайте проведем практическое тестирование с парой модулей памяти Apacer DDR4 объемом 32 ГБ с двойным кольцом и объемом 16 ГБ Apacer DDR4.

Apacer DDR4 1x16Gb EL.16G2V.GNH

Низкая цена за высокую емкость, би-рандом, с некоторыми возможностями для ручного разгона.

Относительно высокие времена.

Цена от 2 100 до 2 311 грн.

Moyo.ua

Не существует готовых комплектов для двух или четырех блоков, только отдельные планки. По этой причине, если вы планируете разгон, мы советуем вам покупать в одном и том же магазине в одно и то же время. Таким образом, вы можете быть уверены, что получите чипы из одной партии, которые имеют примерно одинаковый уровень утечки и разгонный потенциал.

Возможно, наиболее интересными являются карты Apacer DDR4 16GB 2666MHz. Они построены на шестнадцати чипах Hynix A-Die (согласно приложению Thaiphoon Burner), что означает, что они двухклассные. Некоторые из этих модулей позволяют собрать компьютер на процессоре AMD Ryzen с подсистемой памяти высокой пропускной способности — двухканальной и двухпиновой памятью одновременно.